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晶体管
IRFB4110PBF参考图片

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IRFB4110PBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 100V 180A 4.5mOhm 150nC Qg
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库存:11,623(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.3572
25.3572
10
¥21.5943
215.943
100
¥18.6676
1866.76
250
¥17.7523
4438.075
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
3.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
150 nC
Pd-功率耗散
370 W
配置
Single
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001570598
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRFB4110PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 75A 1200V
1:¥967.0314
5:¥948.0474
10:¥903.8644
25:¥884.8917
参考库存:3606
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs SO-8
1:¥11.30
10:¥9.2999
100:¥7.1416
500:¥6.1359
1,000:¥5.3788
2,500:¥5.3788
参考库存:28543
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20 V, 2 A NPN medium power transistors
1:¥3.2996
10:¥2.3165
100:¥1.05994
1,000:¥0.81473
3,000:¥0.69947
参考库存:9025
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 10A
1:¥11.9102
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0964
参考库存:6537
晶体管
IGBT 模块
1:¥496.0022
5:¥486.8605
10:¥474.261
25:¥464.9611
参考库存:3589
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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