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晶体管
IRF7665S2TRPBF参考图片

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IRF7665S2TRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 100V DIGITAL AUDIO 1 N-CH HEXFET
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库存:23,371(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.9157
8.9157
10
¥7.571
75.71
100
¥5.8195
581.95
500
¥5.1415
2570.75
4,800
¥3.6047
17302.56
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DirectFET-SB
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
14.4 A
Rds On-漏源导通电阻
51 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
8.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DirectFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
4.85 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.95 mm
商标
Infineon / IR
下降时间
3.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.4 ns
工厂包装数量
4800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7.1 ns
典型接通延迟时间
3.8 ns
零件号别名
SP001570544
单位重量
500 mg
商品其它信息
优势价格,IRF7665S2TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20v N ch MOSFET
1:¥3.4578
10:¥2.5312
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:123334
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 15 Watt
1:¥531.1226
参考库存:1976
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS 61V-100V
1:¥8.8366
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
1,000:¥4.0341
2,500:¥4.0341
参考库存:14143
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80 V, 1 A NPN md power transistors
1:¥2.9154
10:¥2.2487
100:¥1.2204
1,000:¥0.91417
2,000:¥0.791
参考库存:617360
晶体管
MOSFET PT8P 40V LL PQFN56
1:¥8.5315
10:¥7.3337
100:¥5.6387
500:¥4.9833
3,000:¥3.4917
9,000:查看
参考库存:17172
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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