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晶体管
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FQI8N60CTU

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数量单价合计
1
¥14.8256
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10
¥12.5995
125.995
100
¥10.0683
1006.83
500
¥8.8366
4418.3
1,000
¥7.2772
7277.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
7.5 A
Rds On-漏源导通电阻
1.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.13 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FQI8N60C
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
8.7 S
下降时间
64.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
60.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
81 ns
典型接通延迟时间
16.5 ns
零件号别名
FQI8N60CTU_NL
单位重量
2.084 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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  • 海量现货

    50万现货SKU

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