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晶体管
SIS413DN-T1-GE3参考图片

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SIS413DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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库存:281,608(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.6838
36.838
100
¥2.8024
280.24
500
¥2.3052
1152.6
1,000
¥1.8419
1841.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
9.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
73 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
52 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
3.3 mm
系列
SIS
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
50 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns, 82 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns, 45 ns
典型接通延迟时间
11 ns, 55 ns
商品其它信息
优势价格,SIS413DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TO-92 PNP GP AMP
1:¥2.147
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
2,000:¥0.32318
参考库存:71020
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Voltage
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
参考库存:58762
晶体管
MOSFET 40V N-CH HEXFET 3.4mOhms 42nC
1:¥14.3736
10:¥12.2153
100:¥9.7632
500:¥8.5315
4,800:¥6.3732
9,600:查看
参考库存:9419
晶体管
MOSFET 20V Vds 12V Vgs TSSOP-8
1:¥5.537
10:¥4.859
100:¥3.7742
500:¥2.825
3,000:¥2.825
参考库存:14846
晶体管
MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET Power
1:¥18.6676
10:¥15.8313
100:¥12.6786
500:¥11.0627
1,000:¥9.2208
参考库存:9633
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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