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晶体管
DMN2013UFX-7参考图片

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DMN2013UFX-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 10A 0.78W
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数量单价合计
1
¥4.9946
4.9946
10
¥4.1697
41.697
100
¥2.6894
268.94
1,000
¥2.147
2147
3,000
¥2.147
6441
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
W-DFN5020-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
9.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
57.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.14 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN2013
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
13.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
42.5 ns
典型接通延迟时间
8.6 ns
商品其它信息
优势价格，DMN2013UFX-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMT10H072LFDF-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020-6 T&R 10K
1:¥4.9155
10:¥4.1019
100:¥2.6442
1,000:¥2.1244
10,000:¥2.1244
参考库存:50381
TSM9ND50CI C0G
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 500V 9A 0.9Ohm Sng N-Chan Pwr MOSFET
4,000:¥6.215
6,000:¥5.989
10,000:¥5.8647
参考库存:50386
APTGT150SK170G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥871.3656
参考库存:50391
IRG4IBC20FDPBF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz
2,000:¥14.2154
参考库存:50396
PTFB183404F-V2-R250
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,281.0019
参考库存:50401

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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