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晶体管
BSZ900N15NS3GATMA1参考图片

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BSZ900N15NS3GATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
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库存:68,737(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.6106
8.6106
10
¥7.345
73.45
100
¥5.6387
563.87
500
¥4.9833
2491.65
5,000
¥3.4917
17458.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
74 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
38 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
6 S
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8 ns
典型接通延迟时间
4 ns
零件号别名
BSZ900N15NS3 BSZ9N15NS3GXT G SP000677866
单位重量
38.250 mg
商品其它信息
优势价格,BSZ900N15NS3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F
1:¥12.5204
10:¥10.3734
100:¥7.91
500:¥6.8026
3,000:¥5.0172
6,000:查看
参考库存:4748
晶体管
MOSFET 120V NChnl Dual Cool PowerTrench MOSFET
1:¥45.6407
10:¥41.2676
25:¥39.3466
100:¥34.1938
3,000:¥24.973
参考库存:58435
晶体管
MOSFET N-CHAN80V 50A
1:¥8.1473
10:¥6.9495
100:¥5.3336
500:¥4.7121
参考库存:4612
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 45V 1MA
1:¥2.5312
10:¥1.6837
100:¥0.70738
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.37629
参考库存:15919
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.356
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:322696
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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