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晶体管
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FGB40N60SM

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1
¥26.4307
26.4307
10
¥22.4418
224.418
100
¥19.436
1943.6
250
¥18.4416
4610.4
500
¥16.5206
8260.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263AB-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
349 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGB40N60SM
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
+/- 400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格，FGB40N60SM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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参考库存:36443

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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