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晶体管
KSC3503DSTU参考图片

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KSC3503DSTU

  • ON Semiconductor / Fairchild
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
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3.5369
10
¥2.9154
29.154
100
¥1.7854
178.54
1,000
¥1.3786
1378.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
300 V
集电极—基极电压 VCBO
300 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.6 V
最大直流电集电极电流
0.1 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
KSC3503
直流电流增益 hFE 最大值
320
高度
11 mm
长度
8 mm
封装
Tube
宽度
3.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
0.1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
Pd-功率耗散
7 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1920
子类别
Transistors
零件号别名
KSC3503DSTU_NL
单位重量
761 mg
商品其它信息
优势价格,KSC3503DSTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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