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晶体管
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FQB6N80TM

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数量单价合计
1
¥16.4415
16.4415
10
¥13.9103
139.103
100
¥11.1418
1114.18
500
¥9.7632
4881.6
800
¥8.0682
6454.56
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
5.8 A
Rds On-漏源导通电阻
1.95 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.13 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FQB6N80
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
5.9 S
下降时间
45 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
70 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
65 ns
典型接通延迟时间
30 ns
零件号别名
FQB6N80TM_NL
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格，FQB6N80TM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MPS6513
Central Semiconductor
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
5,000:¥1.3334
10,000:¥1.2543
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10,000:¥2.4634
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DMN2990UFO-7B
Diodes Incorporated
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1:¥3.2996
10:¥2.486
100:¥1.356
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2,500:¥0.87575
10,000:¥0.81473
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SMPJ112A
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JFET JFET N-Channel -40V 5.0mA 1.0Vgs 5.0Vds
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10:¥21.6734
100:¥17.8314
500:¥15.9782
参考库存:45951

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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