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晶体管
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FDP33N25

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数量单价合计
1
¥13.447
13.447
10
¥11.4469
114.469
100
¥9.1417
914.17
500
¥8.0682
4034.1
1,000
¥6.6331
6633.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
33 A
Rds On-漏源导通电阻
94 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
235 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP33N25
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
26.6 S
下降时间
120 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
230 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
35 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，FDP33N25的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BUK9C1R3-40EJ
Nexperia
晶体管
MOSFET BUK9C1R3-40E/D2PAK/REEL13
暂无价格
参考库存:41230
DDTA123YCA-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS PNP 200mW
3,000:¥0.24634
9,000:¥0.2147
24,000:¥0.20001
45,000:¥0.18419
参考库存:41235
DMT10H009SSS-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
2,500:¥3.2092
10,000:¥3.0849
25,000:¥2.9945
参考库存:41240
SI1404BDH-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 1.9A 2.25W
3,000:¥2.0001
6,000:¥1.8758
9,000:¥1.808
24,000:¥1.7289
参考库存:41245
AFIC10275GNR1
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
500:¥1,609.9562
参考库存:41250

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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