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晶体管
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FDN361BN

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库存:44,783(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥3.0397
30.397
100
¥1.8532
185.32
1,000
¥1.4238
1423.8
3,000
¥1.2204
3661.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SSOT-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.4 A
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.12 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
FDN361BN
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.4 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
3 ns
单位重量
30 mg
商品其它信息
优势价格,FDN361BN的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTC144VMB/XQFN3/REEL 7" Q1/T1
1:¥2.6894
10:¥1.8645
100:¥0.78422
1,000:¥0.52997
10,000:¥0.35369
20,000:查看
参考库存:52658
晶体管
MOSFET Pch -45V Vdss -4.5A TO-252(DPAK); TO-252
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.9325
500:¥5.2432
1,000:¥4.1358
2,500:¥3.6612
参考库存:15110
晶体管
IGBT 晶体管 19 A - 600 V Very fast IGBT
1:¥20.3626
10:¥17.289
100:¥13.8312
500:¥12.1362
参考库存:2872
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 63.3A TO247-3
1:¥116.1075
10:¥106.7285
25:¥102.2763
100:¥90.1288
参考库存:5044
晶体管
MOSFET
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥5.989
500:¥5.2997
2,500:¥3.7064
10,000:查看
参考库存:34041
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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