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晶体管
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FQD5N60CTM

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¥4.8477
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
2.8 A
Rds On-漏源导通电阻
2.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FQD5N60C
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
46 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
42 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
FQD5N60CTM_NL
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格，FQD5N60CTM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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50,000:¥0.73789
100,000:¥0.70738
参考库存:47422

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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