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晶体管
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FQP7N20

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数量单价合计
1
¥8.3733
8.3733
10
¥7.1303
71.303
100
¥5.4805
548.05
500
¥4.8364
2418.2
1,000
¥3.8194
3819.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
6.6 A
Rds On-漏源导通电阻
690 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
63 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP7N20
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
4 S
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
65 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,FQP7N20的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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20,000:查看
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10:¥2.0566
100:¥0.86106
1,000:¥0.58421
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1:¥3.6838
10:¥2.6103
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10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
8,000:¥0.29154
24,000:查看
参考库存:80609
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    50万现货SKU

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