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晶体管
FGH75T65UPD-F085参考图片

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FGH75T65UPD-F085

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库存:11,975(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥51.4037
51.4037
10
¥46.4882
464.882
25
¥44.2621
1106.5525
100
¥38.42
3842
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.21 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGH75T65UPD
资格
AEC-Q101
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
75 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
FGH75T65UPD_F085
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,FGH75T65UPD-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥15.6731
10:¥13.2888
100:¥10.5994
500:¥9.2999
1,000:¥7.7631
参考库存:7283
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 16 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥15.9782
10:¥13.6052
100:¥10.8367
500:¥9.5259
1,000:¥7.91
3,000:¥7.3111
参考库存:22260
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,397.9456
5:¥1,364.2942
10:¥1,330.4055
25:¥1,311.817
参考库存:2362
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 100A 650V
1:¥1,021.6669
5:¥1,001.6094
10:¥954.8952
25:¥934.8377
参考库存:2364
晶体管
MOSFET 40V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥11.1418
10:¥9.1417
100:¥7.0512
500:¥6.0568
1,000:¥4.7799
3,000:¥4.4635
参考库存:32216
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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