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晶体管
BSZ440N10NS3 G参考图片

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BSZ440N10NS3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.6839
56.839
100
¥4.3618
436.18
500
¥3.8533
1926.65
5,000
¥2.7007
13503.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
38 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
9.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
29 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
8 S
下降时间
2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.8 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9.1 ns
典型接通延迟时间
4.3 ns
零件号别名
BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ44N1NS3GXT SP000482442
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格，BSZ440N10NS3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RJH60F0DPQ-A0#T0
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50:¥568.7742
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MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
50:¥36.1939
100:¥34.4989
250:¥30.1936
500:¥29.3574
参考库存:34522
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暂无价格
参考库存:34527

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