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晶体管
SI4214DDY-T1-E3参考图片

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SI4214DDY-T1-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
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数量单价合计
1
¥7.3789
7.3789
10
¥5.9664
59.664
100
¥4.5313
453.13
500
¥3.729
1864.5
2,500
¥2.712
6780
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
8.5 A
Rds On-漏源导通电阻
19.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
22 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
27 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
45 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格，SI4214DDY-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SPA11N80C3
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
1:¥21.131
10:¥17.8992
100:¥14.3736
500:¥12.5204
1,000:¥10.3734
参考库存:16633
TK20P04M1,RQ(S
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 20A 40V 27W 985pF 0.034
1:¥7.458
10:¥5.7743
100:¥3.7177
1,000:¥2.9832
2,000:¥2.5086
参考库存:29498
NP55N055SDG-E1-AY
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET MP-3ZK PoTr-MOSFET Low
2,500:¥5.6048
5,000:¥5.1867
参考库存:29503
IGD01N120H2
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200A 1A
1:¥10.5994
10:¥8.9948
100:¥6.9495
500:¥6.1472
2,500:¥4.3053
10,000:查看
参考库存:88675
BUK762R7-30B,118
Nexperia
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥15.5262
10:¥13.221
100:¥10.5316
500:¥9.2208
800:¥7.6388
参考库存:29510

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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