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晶体管
IPB017N08N5参考图片

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IPB017N08N5

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数量单价合计
1
¥41.4145
41.4145
10
¥35.1882
351.882
100
¥30.51
3051
250
¥28.9732
7243.3
1,000
¥21.8994
21899.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
1.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
223 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
114 S
下降时间
37 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
36 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
102 ns
典型接通延迟时间
40 ns
零件号别名
IPB017N08N5ATMA1 SP001132472
商品其它信息
优势价格,IPB017N08N5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 156W 1680pF 20A
1:¥40.567
10:¥32.657
100:¥29.7416
250:¥26.8149
2,500:¥19.2891
参考库存:3621
晶体管
MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK 8x8
1:¥55.7881
10:¥49.7878
100:¥40.8043
250:¥37.5725
3,000:¥25.6623
参考库存:18618
晶体管
MOSFET N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
1:¥22.7469
10:¥19.3682
100:¥16.7466
250:¥15.9104
2,500:¥11.4469
5,000:查看
参考库存:16110
晶体管
MOSFET N-channel 80 V 107 mo FET
1:¥4.2262
10:¥3.4917
100:¥2.1244
1,000:¥1.6498
1,500:¥1.6498
参考库存:39877
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.0736
10:¥2.1696
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.65314
参考库存:8709
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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