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晶体管
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STGW10M65DF2

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
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库存：8,602(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.5261
13.5261
10
¥11.526
115.26
100
¥9.2208
922.08
500
¥8.0682
4034.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
115 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW10M65DF2
集电极最大连续电流 Ic
20 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，STGW10M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NTMFS4C025NT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
5,000:¥1.5594
参考库存:21550
PMPB100ENEAX
Nexperia
晶体管
MOSFET MOSFET SOT1220
暂无价格
参考库存:21555
RJK5035DPP-E0#T2
Renesas Electronics
晶体管
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1:¥19.8202
10:¥17.8992
25:¥15.9782
100:¥14.3736
参考库存:21560
IPP90R340C3XKSA1
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晶体管
MOSFET N-Ch 900V 10A TO220-3 CoolMOS C3
1:¥45.7989
10:¥38.9624
100:¥33.7305
250:¥32.0468
参考库存:21565
IPP65R420CFDXKSA2
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
1:¥14.0572
10:¥11.9893
100:¥9.5259
500:¥8.3733
参考库存:21570

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