RN1106MFV,L3F详细参数_参考价格_RN1106MFV,L3F PDF资料_Toshiba

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	0.1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-723-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
最大工作频率	-
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	-
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1106MFV
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
商标	Toshiba
通道模式	Enhancement
最大直流电集电极电流	100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
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