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晶体管
HN1C01FE-Y,LF参考图片

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HN1C01FE-Y,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Small Signal Amp
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库存:50,794(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.4634
2.4634
10
¥1.5707
15.707
100
¥0.65314
65.314
1,000
¥0.44522
445.22
4,000
¥0.33787
1351.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
100 mV
最大直流电集电极电流
150 mA
增益带宽产品fT
80 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HN1C01
直流电流增益 hFE 最大值
400
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
3 mg
商品其它信息
优势价格,HN1C01FE-Y,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
1,000:¥6.6896
参考库存:6141
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
5,000:¥2.3391
参考库存:19068
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 4A 100V 12.5W PNP
1:¥5.4579
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
参考库存:4955
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 90A TO220-3
1:¥14.6787
10:¥12.4526
100:¥9.9892
500:¥8.6784
1,000:¥7.2433
参考库存:5392
晶体管
MOSFET P-Ch -60V -18.6A DPAK-2
1:¥8.4524
10:¥7.2659
100:¥5.5822
500:¥4.9381
2,500:¥3.4578
10,000:查看
参考库存:25729
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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