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晶体管
FCP110N65F参考图片

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FCP110N65F

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库存:5,552(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥29.6625
29.6625
10
¥25.199
251.99
100
¥21.8203
2182.03
250
¥20.6677
5166.925
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, 30 V
Qg-栅极电荷
98 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
357 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperFET II FRFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FCP110N65F
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
30 S
下降时间
5.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
89 ns
典型接通延迟时间
31 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FCP110N65F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30V 5A 10W TO-252(DPAK)
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.7574
500:¥5.9777
1,000:¥4.7234
2,500:¥4.181
参考库存:17032
晶体管
IGBT 模块 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT
1:¥22.0576
10:¥18.7467
100:¥16.2155
250:¥15.368
800:¥11.6051
2,400:查看
参考库存:7084
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥21.9785
10:¥17.6732
100:查看
参考库存:4806
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥372.7531
2:¥362.6057
5:¥352.5374
10:¥342.4804
参考库存:4788
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥21.131
10:¥17.8992
100:¥14.3736
500:¥12.5204
1,000:¥10.3734
2,500:¥10.3734
参考库存:50115
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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