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晶体管
SH8J31GZETB参考图片

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SH8J31GZETB

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 60V Pch+Pch Si MOSFET
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数量单价合计
1
¥12.4526
12.4526
10
¥10.6785
106.785
100
¥8.1473
814.73
500
¥7.1981
3599.05
1,000
¥5.6839
5683.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms, 50 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
40 nC, 40 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
2 P-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
6.5 S, 6.5 S
下降时间
40 ns, 40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns, 18 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
100 ns, 100 ns
典型接通延迟时间
17 ns, 17 ns
零件号别名
SH8J31
商品其它信息
优势价格,SH8J31GZETB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥21.4361
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参考库存:38529
  • 海量现货

    50万现货SKU

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    保证原装正品

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