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晶体管
SSM6L35FE,LM参考图片

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SSM6L35FE,LM

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Small Signal MOSFET
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库存：41,619(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.0001
20.001
100
¥0.86106
86.106
1,000
¥0.66105
661.05
4,000
¥0.49946
1997.84
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ES6-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
180 mA, 100 mA
Rds On-漏源导通电阻
20 Ohms, 44 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
系列
SSM6L35
宽度
1.2 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
单位重量
8.200 mg
商品其它信息
优势价格，SSM6L35FE,LM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NTD3055L104T4G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 60V 12A N-Channel
1:¥4.4522
10:¥3.6499
100:¥2.3504
1,000:¥1.8871
2,500:¥1.5933
参考库存:218905
IPA80R1K4CEXKSA2
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥10.5994
10:¥8.9948
100:¥6.9495
500:¥6.1359
1,000:¥4.8477
参考库存:19467
SCT2H12NYTB
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET N-Ch 1700V 4A 44W SiC Silicon Carbide
1:¥40.4201
10:¥34.352
100:¥29.8094
250:¥28.2726
400:¥25.3572
参考库存:26449
SI7858ADP-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 12V 29A 0.0026Ohm
1:¥26.894
10:¥22.2836
100:¥18.2834
250:¥17.7523
500:¥15.9104
3,000:¥15.9104
参考库存:14916
SI7454DP-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 100V, 40 MOHMS@4.5V
1:¥18.1365
10:¥15.0629
100:¥11.6842
500:¥10.2152
1,000:¥8.4524
3,000:¥8.4524
参考库存:36733

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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