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晶体管
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CSD25402Q3A

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET P-CH Pwr MOSFET
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数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.537
55.37
100
¥4.2488
424.88
500
¥3.7629
1881.45
2,500
¥2.6329
6582.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
76 A
Rds On-漏源导通电阻
8.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
650 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
7.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
3.15 mm
系列
CSD25402Q3A
晶体管类型
1 P-Channel Power MOSFET
宽度
3 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
10 ns
商品其它信息
优势价格，CSD25402Q3A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N6280
Microsemi
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥551.4852
参考库存:37905
RM5N800LD-T
Rectron
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2,500:¥5.6613
5,000:¥5.1754
10,000:¥4.7234
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STF23NM50N
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MOSFET N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR
1:¥34.0356
10:¥28.8941
100:¥25.0521
250:¥23.7413
参考库存:9450
2N4391UB
Microsemi
晶体管
JFET JFET
100:¥202.2474
250:¥185.8737
500:¥171.195
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STH260N6F6-6
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 60 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-6 package
1:¥33.7305
10:¥28.6568
100:¥24.8148
250:¥23.5944
1,000:¥17.8314
2,000:查看
参考库存:9457

  • 海量现货

    50万现货SKU

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