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晶体管
CSD18536KTT参考图片

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CSD18536KTT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET KTT pkg spin from CSD18536KCS
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库存:8,716(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥32.9621
32.9621
10
¥29.6625
296.625
100
¥24.2837
2428.37
250
¥22.7469
5686.725
500
¥20.6677
10333.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
200 A
Rds On-漏源导通电阻
1.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
140 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
19.7 mm
长度
9.25 mm
系列
CSD18536KTT
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
10.26 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
312 S
下降时间
4 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
11 ns
商品其它信息
优势价格,CSD18536KTT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT
1:¥20.9728
10:¥17.8314
100:¥14.2945
500:¥12.4526
参考库存:21348
晶体管
MOSFET N-Channel,MOSFETS,SOT-23 Package
1:¥3.4578
10:¥2.4634
100:¥1.4577
1,000:¥0.63732
30,000:¥0.41471
48,000:查看
参考库存:15650
晶体管
MOSFET 30V Dual N ch MOSFET
1:¥4.9946
10:¥4.1471
100:¥2.5199
1,000:¥1.9549
3,000:¥1.6724
参考库存:18412
晶体管
MOSFET 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
1:¥36.5781
10:¥31.1202
100:¥26.9731
250:¥25.5832
500:¥22.8938
800:¥22.8938
参考库存:9734
晶体管
MOSFET 40V Single N-Channel HEXFET
1:¥12.7577
10:¥10.8367
100:¥8.6784
500:¥7.5484
4,000:¥7.5484
参考库存:7971
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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