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晶体管
IGB50N65S5ATMA1参考图片

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IGB50N65S5ATMA1

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1
¥26.5889
26.5889
10
¥22.5887
225.887
100
¥19.5942
1959.42
250
¥18.5998
4649.95
1,000
¥14.0572
14057.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
270 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOPâ?¢5
封装
Cut Tape
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
50 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGB50N65S5 SP001502566
商品其它信息
优势价格,IGB50N65S5ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
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1:¥1.695
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1:¥3.3787
10:¥1.6385
100:¥1.12209
500:¥0.92208
10,000:¥0.52997
参考库存:52530
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor PNP 10kohm -100mA -50V
1:¥1.7628
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.24634
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晶体管
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1:¥2.2261
10:¥1.4803
100:¥0.61472
1,000:¥0.42262
2,000:¥0.32996
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晶体管
JFET JFET N-Channel -30V 1.8W 10mW 50mA
1:¥91.5978
10:¥75.0772
100:¥62.3195
500:¥56.7825
参考库存:2836
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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