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晶体管
IKFW60N60EH3XKSA1参考图片

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IKFW60N60EH3XKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 High speed hard switching 600 V, 60 A third generation TRENCHSTOP IGBT3 co-packed with Rapid 1 fast and soft antiparallel diode in a TO-247 advanced isolation.
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1
¥57.63
57.63
10
¥52.093
520.93
25
¥49.6409
1241.0225
100
¥43.1095
4310.95
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
63 A
Pd-功率耗散
164 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
600V TRENCHSTOP
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
63 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKFW60N60EH3 SP001672366
商品其它信息
优势价格,IKFW60N60EH3XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR DPAK 50V
1:¥5.8421
10:¥4.8364
100:¥3.1301
1,000:¥2.4973
2,500:¥2.1131
参考库存:13920
晶体管
MOSFET 30V 42A 2.5mohms NCh PowerTrench MOSFET
1:¥8.6784
10:¥7.4128
100:¥5.6952
500:¥5.0285
3,000:¥3.5256
9,000:查看
参考库存:59967
晶体管
MOSFET N-Ch Dual 30V 9A 1.5W 1190pF
1:¥9.2999
10:¥7.8422
100:¥6.8252
500:¥5.2997
2,500:¥3.7064
10,000:查看
参考库存:5939
晶体管
MOSFET NFET SO8 30V 11.4A 9MOHM
1:¥6.5314
10:¥5.4692
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
2,500:¥2.3843
参考库存:12821
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 100mW
1:¥1.921
10:¥1.3108
100:¥0.53788
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.30736
24,000:¥0.23052
参考库存:34248
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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