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晶体管
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NDUL09N150CG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET NCH 1500V 9A
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库存：2,096(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥73.1562
73.1562
10
¥66.1615
661.615
25
¥63.0879
1577.1975
100
¥54.7146
5471.46
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PF-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.5 kV
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
114 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
5.2 S
下降时间
111 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
75 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
500 ns
典型接通延迟时间
33 ns
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格，NDUL09N150CG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMT10H072LFDF-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020-6 T&R 10K
1:¥4.9155
10:¥4.1019
100:¥2.6442
1,000:¥2.1244
10,000:¥2.1244
参考库存:50381
TSM9ND50CI C0G
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 500V 9A 0.9Ohm Sng N-Chan Pwr MOSFET
4,000:¥6.215
6,000:¥5.989
10,000:¥5.8647
参考库存:50386
APTGT150SK170G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥871.3656
参考库存:50391
IRG4IBC20FDPBF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz
2,000:¥14.2154
参考库存:50396
PTFB183404F-V2-R250
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,281.0019
参考库存:50401

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

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