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晶体管
CSD23285F5参考图片

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CSD23285F5

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 12V P-CHANNEL FEMTOFET
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库存:30,012(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.9211
3.9211
10
¥2.9945
29.945
100
¥1.6272
162.72
1,000
¥1.2204
1220.4
3,000
¥1.05316
3159.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
3.3 A
Rds On-漏源导通电阻
80 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
950 mV
Vgs - 栅极-源极电压
6 V
Qg-栅极电荷
4.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.4 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PicoStar
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.35 mm
长度
1.53 mm
系列
CSD23285F5
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
0.77 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
8.9 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
0.700 mg
商品其它信息
优势价格,CSD23285F5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet
1:¥29.7416
10:¥23.8995
100:¥21.2101
250:¥19.5942
参考库存:9027
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP package
1:¥30.51
10:¥25.8996
100:¥22.4418
250:¥21.2892
参考库存:9029
晶体管
MOSFET Dual N-Ch/Dual P-Ch EPAD Matched Pair
50:¥18.5998
100:¥17.4472
250:¥15.7522
500:¥14.1363
参考库存:37496
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
1:¥736.2854
5:¥713.3012
10:¥690.2492
25:¥658.0555
参考库存:37501
晶体管
MOSFET TO-220F MOSFET
2,000:¥3.1301
4,000:¥2.8702
10,000:¥2.6103
24,000:¥2.5764
参考库存:37506
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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