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晶体管
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FCU3400N80Z

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383.07
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¥3.0623
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
3.4 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, 30 V
Qg-栅极电荷
7.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
32 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperFET II
封装
Tube
高度
6.3 mm
长度
6.8 mm
系列
FCU3400N80Z
宽度
2.5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
2 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.4 ns
工厂包装数量
1800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22.7 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
343.080 mg
商品其它信息
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参考库存:49172

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