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晶体管

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参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	16 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	700 mA
输出功率	10 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	8.9 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Gel Pack
应用	Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置	Single
工作频率	DC to 25 GHz
系列	TGF
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
NF—噪声系数	1.3 dB
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	50
子类别	Transistors
零件号别名	1113818

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
NJVNJD1718T4G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR DPAK 50V	1:¥5.8421 10:¥4.8364 100:¥3.1301 1,000:¥2.4973 2,500:¥2.1131	参考库存:13920
FDMS8020	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V 42A 2.5mohms NCh PowerTrench MOSFET	1:¥8.6784 10:¥7.4128 100:¥5.6952 500:¥5.0285 3,000:¥3.5256 9,000:查看	参考库存:59967
TPC8223-H,LQ(S	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch Dual 30V 9A 1.5W 1190pF	1:¥9.2999 10:¥7.8422 100:¥6.8252 500:¥5.2997 2,500:¥3.7064 10,000:查看	参考库存:5939
NTMS4916NR2G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET NFET SO8 30V 11.4A 9MOHM	1:¥6.5314 10:¥5.4692 100:¥3.5369 1,000:¥2.825 2,500:¥2.3843	参考库存:12821
RN1302SU,LF	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 100mW	1:¥1.921 10:¥1.3108 100:¥0.53788 1,000:¥0.3842 3,000:¥0.30736 24,000:¥0.23052	参考库存:34248