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晶体管
STGW28IH125DF参考图片

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STGW28IH125DF

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 1250V 25A trench gate field-stop IGBT
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数量单价合计
1
¥35.3464
35.3464
10
¥30.0467
300.467
100
¥26.0465
2604.65
250
¥24.747
6186.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.25 kV
集电极—射极饱和电压
2.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW28IH125DF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW28IH125DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 450V NPN High Volt TO252 450V 700V
1:¥4.5313
10:¥3.7177
100:¥2.3956
1,000:¥1.921
2,500:¥1.921
参考库存:17148
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥1.2317
10:¥1.08367
100:¥0.3842
1,000:¥0.25312
3,000:¥0.20001
参考库存:167790
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2
1:¥5.6839
10:¥4.7573
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
2,500:¥2.0792
参考库存:19597
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS5
1:¥129.6336
5:¥124.639
10:¥119.9495
25:¥110.1863
参考库存:1510
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V .15A
1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.62263
参考库存:16942
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