RN1112MFV(TPL3)详细参数_参考价格_RN1112MFV(TPL3) PDF资料_Toshiba

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	VESM-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	700
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1112MFV
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	50 V
直流电流增益 hFE 最大值	120 @ 1mA @ 5V
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
高度	0.5 mm
长度	1.2 mm
宽度	0.8 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
FS50R06W1E3_B11	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 IGBT Module 50A 600V	1:¥278.7032 5:¥275.7765 10:¥257.0298 25:¥245.5038	参考库存:1144
FDB9406-F085	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 40V, 110A, 1.8m Ohm NChannel PowerTrench	1:¥20.3626 10:¥17.289 100:¥13.8312 500:¥12.1362 800:¥10.0683	参考库存:4976
2SA1962RTU	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Silicon	1:¥17.7523 10:¥15.0629 100:¥12.0684 500:¥10.5994 1,000:¥8.7575	参考库存:4128
IRF830APBF	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF830A	1:¥11.8311 10:¥9.379 100:¥8.2264 500:¥6.3958 1,000:¥5.0511	参考库存:4815
IRF7504TRPBF	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 1.7A Micro 8	1:¥4.3844 10:¥3.6612 100:¥2.3617 1,000:¥1.8984 4,000:¥1.5933	参考库存:2897