RN2116MFV(TPL3)详细参数_参考价格_RN2116MFV(TPL3) PDF资料_Toshiba

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	0.47
安装风格	SMD/SMT
直流集电极/Base Gain hfe Min	50
集电极—发射极最大电压 VCEO	- 50 V
集电极连续电流	- 100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN2116
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	- 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO	- 7 V
高度	1.2 mm
长度	1.2 mm
工作温度范围	- 65 C to + 150 C
类型	PNP Epitaxial Silicon Transistor
宽度	0.5 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BF999E6327HTSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Triode	1:¥3.3787 10:¥2.825 100:¥1.7289 1,000:¥1.3334 3,000:¥1.1413	参考库存:48632
IRFH4253DTRPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 25V Dual N-Ch 1.45mOhm 31nC 45A	1:¥15.594 10:¥13.221 100:¥10.5994 500:¥9.2208 4,000:¥6.9043 8,000:查看	参考库存:18109
PBSS4350SPN,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7	1:¥4.3844 10:¥3.616 100:¥2.2035 1,000:¥1.7063 2,000:¥1.4577	参考库存:13661
FCPF400N80ZL1	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET SF2 800V 400MOHM E TO220F	1:¥20.6677 10:¥17.515 100:¥14.0572 500:¥12.2944	参考库存:18593
IPD65R600C6	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 700V 7.3A DPAK-2 CoolMOS C6	1:¥11.1418 10:¥9.5259 100:¥7.3337 500:¥6.4862 1,000:¥5.1189 2,500:¥5.1189	参考库存:16225