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晶体管
ALD210808ASCL参考图片

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ALD210808ASCL

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库存:37,251(价格仅供参考)
数量单价合计
50
¥42.3411
2117.055
100
¥40.341
4034.1
250
¥35.2673
8816.825
500
¥34.2729
17136.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Linear Devices
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-16
通道数量
4 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
10 V
Id-连续漏极电流
70 mA
Rds On-漏源导通电阻
25 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10.6 V
最小工作温度
0 C
最大工作温度
+ 70 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Quad
通道模式
Enhancement
商标名
EPAD
封装
Tube
系列
ALD210808A
晶体管类型
4 N-Channel
商标
Advanced Linear Devices
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
666 mg
商品其它信息
优势价格,ALD210808ASCL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 100A TO220-3 OptiMOS-T
1:¥18.4416
10:¥15.6731
100:¥12.5204
500:¥10.9836
参考库存:3280
晶体管
MOSFET DIOFET MOSFETN-CHAN ENH MDE SCHOT DIODE
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
2,500:¥1.11418
参考库存:46970
晶体管
MOSFET Pwr MOSFET 40V 44A 6.9mOhm Dual N-CH
1:¥14.9838
10:¥12.7577
100:¥10.1474
500:¥8.9157
1,500:¥6.893
4,500:查看
参考库存:6677
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS7
1:¥239.5148
5:¥230.1358
10:¥221.4574
25:¥203.5469
参考库存:1444
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
1:¥3.3787
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:165541
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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