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APTGT400U120D4G

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100
¥1,048.4027
104840.27
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
650 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
1.785 kW
封装 / 箱体
D4-5
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Bulk
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
350 g
商品其它信息
优势价格，APTGT400U120D4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV2N3507A
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥170.8899
250:¥156.8327
500:¥149.2956
参考库存:36020
2N4871
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
1:¥17.7523
10:¥15.7522
100:¥12.5995
500:¥11.0627
参考库存:12740
JANTXV2N3637L/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥150.9115
250:¥138.538
500:¥131.8597
参考库存:36027
ALD310700APCL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Quad P-Channel EPAD Matched Pair
50:¥42.8044
100:¥40.8043
250:¥35.6515
500:¥34.6571
参考库存:36032
2N5154L
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥112.1864
250:¥102.4232
500:¥92.208
1,000:¥85.5184
参考库存:36037

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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