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晶体管
D3S070N65D-U参考图片

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D3S070N65D-U

  • D3
  • 新批次
  • MOSFET 70 mOhm 650V
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数量单价合计
600
¥21.0519
12631.14
1,020
¥17.7523
18107.346
2,520
¥16.8257
42400.764
5,010
¥16.2155
81239.655
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
D3 Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
31.8 A
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
77 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
154 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
D3
下降时间
23 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
90 ns
典型接通延迟时间
17 ns
商品其它信息
优势价格，D3S070N65D-U的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DCP53-16-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W -80V
2,500:¥1.00683
参考库存:116664
DMN10H170SFG-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss
3,000:¥1.4012
参考库存:64166
IRFB4332PBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 250V 60A 33mOhm 99nC Qg
1:¥28.9732
10:¥24.5888
100:¥21.2892
250:¥20.2044
参考库存:46998
BC 847S H6433
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥2.5312
10:¥1.7402
100:¥0.72998
1,000:¥0.49946
10,000:¥0.32996
20,000:查看
参考库存:201070
SIDR626DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
1:¥21.8994
10:¥18.2156
100:¥14.0572
500:¥12.2944
3,000:¥9.5259
6,000:查看
参考库存:32647

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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