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晶体管

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APTGT150H60TG

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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:51,614(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥784.8415
78484.15
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Full Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
225 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
480 W
封装 / 箱体
SP4
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格,APTGT150H60TG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V P-Ch Enh FET 30Vgss -80A Idm
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
3,000:¥2.7007
参考库存:18440
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP W/RES 50V
1:¥1.2317
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:23850
晶体管
MOSFET T6D3F 40V NFET
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.4354
500:¥6.5766
5,000:¥4.5991
10,000:查看
参考库存:23855
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45 V, 100 mA NPN/NPN gen purpose trans
暂无价格
参考库存:23860
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2.5K
2,500:¥2.9493
参考库存:23865
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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