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晶体管
SIHH11N65EF-T1-GE3参考图片

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SIHH11N65EF-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
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数量单价合计
3,000
¥16.2946
48883.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-8x8-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
332 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
35 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
130 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
1 mm
长度
8 mm
系列
EF
宽度
8 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
43 ns
典型接通延迟时间
19 ns
商品其它信息
优势价格，SIHH11N65EF-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N3994A
InterFET
晶体管
JFET P-Ch 25V JFET -10mA 25V 300mW 2.4mW
113:¥57.9351
500:¥52.7936
1,000:¥45.9458
参考库存:23006
RN1104MFV(TL3,T)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 150mA PC
1:¥1.695
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
8,000:¥0.2147
24,000:查看
参考库存:23011
SI4670DY-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 25V Vds 16V Vgs SO-8
1:¥10.3734
10:¥9.1417
100:¥7.2433
500:¥5.6161
2,500:¥4.0228
5,000:查看
参考库存:23016
NTMFS5C404NLTT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 342A
1:¥32.5779
10:¥27.6624
100:¥24.0464
250:¥22.826
1,500:¥16.3624
参考库存:23021
STGWA50IH65DF
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管
1:¥30.2727
10:¥25.7414
100:¥22.2836
250:¥21.131
参考库存:3618

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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