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晶体管
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PTVA104501EH-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50
¥2,955.8088
147790.44
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
增益
17.5 dB
输出功率
450 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-33288-2
封装
Reel
工作频率
960 MHz to 1215 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTVA104501EH-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PMBT3906,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SW 200MA 40V
1:¥0.92208
10:¥0.81473
100:¥0.29154
1,000:¥0.1921
3,000:¥0.14577
参考库存:698097
BCR 119S H6327
Infineon Technologies
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双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥1.7628
100:¥0.75258
1,000:¥0.58421
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参考库存:34704
2STR2230
STMicroelectronics
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10:¥2.3165
100:¥1.05994
1,000:¥0.81473
3,000:¥0.69947
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MPSA06
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN,0.5A,80V GenPur
1:¥3.6838
10:¥2.3391
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.58421
参考库存:14588
SIHF22N60E-E3
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MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIR462DP-T1-GE3
1,000:¥16.2155
参考库存:46800

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    50万现货SKU

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