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晶体管
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PTFB092707FH-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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¥848.0085
848.0085
50
¥848.0085
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
增益
19 dB
输出功率
270 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37288L-4/2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
925 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTFB092707FH-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SQJ446EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥8.2942
10:¥6.7913
100:¥5.2093
500:¥4.4748
1,000:¥3.5369
3,000:¥3.5369
参考库存:10138
STGIPS10K60T
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM IPM 3-Phase 10A 600V Rugged IGBT
1:¥85.5975
10:¥78.6819
25:¥75.4614
100:¥66.4666
参考库存:1915
IRFR3710ZTRPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 56A 18mOhm 69nC Qg
1:¥13.8312
10:¥11.752
100:¥9.379
500:¥8.2264
1,000:¥6.8365
2,000:¥6.8365
参考库存:78537
IRFI4410ZPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 65A 9.3mOhm 83nC
1:¥16.3624
10:¥13.9103
100:¥11.1418
500:¥9.6841
1,000:¥8.0682
参考库存:11869
CSD18537NQ5A
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥6.9947
10:¥5.8421
100:¥3.7516
1,000:¥3.0058
2,500:¥2.7233
参考库存:32671

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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