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晶体管
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FDB2532-F085

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数量单价合计
800
¥18.984
15187.2
2,400
¥17.9783
43147.92
4,800
¥17.289
82987.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
79 A
Rds On-漏源导通电阻
14 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
82 nC
Pd-功率耗散
310 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
PowerTrench
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FDB2532_F085
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
零件号别名
FDB2532_F085
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格，FDB2532-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AUIRFR5305TR
Infineon / IR
晶体管
MOSFET AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 65mOhms
1:¥15.2098
10:¥12.9837
100:¥10.3734
500:¥9.0626
2,000:¥6.9721
4,000:查看
参考库存:16160
DMP6110SSDQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥4.7686
10:¥3.9663
100:¥2.5538
1,000:¥2.0566
2,500:¥2.0566
参考库存:18662
BLV34
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥668.508
10:¥557.09
25:¥501.381
50:¥445.672
参考库存:26572
RN2113MFV(TL3,T)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor PNP 47kohm -100mA -50V
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:26577
FMMT494TC
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
10,000:¥0.83733
参考库存:2606174

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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