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晶体管
SQD23N06-31L_T4GE3参考图片

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SQD23N06-31L_T4GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 60V Vds 20V Vgs TO-252
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库存:44,404(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥2.8363
7090.75
5,000
¥2.7007
13503.5
10,000
¥2.5877
25877
25,000
¥2.5086
62715
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
23 A
Rds On-漏源导通电阻
31 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
24 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
37 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
25 S
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
6 ns
商品其它信息
优势价格,SQD23N06-31L_T4GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥7.1416
10:¥6.1359
100:¥4.7121
500:¥4.1697
5,000:¥2.9154
10,000:查看
参考库存:46413
晶体管
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥15.594
10:¥13.221
100:¥10.5994
500:¥9.2208
3,000:¥7.1642
6,000:查看
参考库存:54255
晶体管
MOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series
1:¥7.2998
10:¥6.1811
100:¥4.7573
500:¥4.2036
2,500:¥2.938
10,000:查看
参考库存:13587
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥8.3733
10:¥8.2264
25:¥6.9608
100:¥6.328
2,000:¥4.3166
4,000:查看
参考库存:13759
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
1:¥38.5782
10:¥32.7361
100:¥28.4308
250:¥26.9731
1,000:¥20.3626
2,000:查看
参考库存:10896
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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