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晶体管
BUJD203A,127参考图片

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BUJD203A,127

  • WeEn Semiconductors
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 425 V 4 A
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5,000
¥2.1583
10791.5
10,000
¥2.0792
20792
25,000
¥2.0001
50002.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
WeEn Semiconductors
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
425 V
集电极—基极电压 VCBO
850 V
集电极—射极饱和电压
0.29 V
最大直流电集电极电流
4 A
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
32
商标
WeEn Semiconductors
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
10
Pd-功率耗散
80 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
934064983127
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，BUJD203A,127的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
QSX6TR
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN BIPOLAR 30V 1.5A
1:¥4.2262
10:¥3.5256
100:¥2.147
1,000:¥1.6611
3,000:¥1.4238
参考库存:34796
FS450R12KE4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 450A IGBT4
1:¥4,267.4676
5:¥4,010.2796
参考库存:34801
IPP80N06S208AKSA2
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
1:¥15.9104
10:¥13.5261
100:¥10.8367
500:¥9.4468
参考库存:34806
MQ2N2609
Microsemi
晶体管
JFET
1:¥680.8024
2:¥659.6714
5:¥659.4454
10:¥638.2353
参考库存:34811
SGH30N60RUFDTU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
IGBT 晶体管 Dis Short Circuit Rated IGBT
1:¥32.883
10:¥27.8884
100:¥24.2046
250:¥22.9729
参考库存:34816

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