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晶体管

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VS-GB150LH120N

  • Vishay Semiconductors
  • 新批次
  • IGBT 模块 Output & SW Modules - DIAP IGBT
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.87 V
在25 C的连续集电极电流
300 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.389 kW
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
12
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,VS-GB150LH120N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS5
1:¥522.286
2:¥512.681
5:¥506.8389
10:¥491.4709
参考库存:23953
晶体管
MOSFET N-Ch 700V 100A D2PAK-2
1:¥41.2676
10:¥35.1204
100:¥30.4309
250:¥28.8941
1,000:¥21.8203
2,000:查看
参考库存:6405
晶体管
MOSFET 60V N-channel Trench MOSFET
1:¥1.3786
10:¥1.3221
100:¥0.46895
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:58607
晶体管
MOSFET Pwr MOSFET 60V 39A 15mOhm SGL N-CH
1:¥7.6049
10:¥6.5088
100:¥4.9946
500:¥4.4183
1,500:¥3.0849
9,000:查看
参考库存:23962
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP High Voltage Darlington
1:¥3.616
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
2,000:¥1.2317
参考库存:11464
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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