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晶体管
TSM1N80CW参考图片

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TSM1N80CW

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 800V N Channel Pwr MOSFET
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库存:35,127(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥2.3391
5847.75
5,000
¥2.3391
11695.5
10,000
¥2.3052
23052
25,000
¥2.26
56500
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
300 mA
Rds On-漏源导通电阻
18 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
类型
N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值
0.36 S
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
250 mg
商品其它信息
优势价格,TSM1N80CW的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 22 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥22.7469
10:¥19.3682
100:¥16.7466
250:¥15.9104
参考库存:5736
晶体管
MOSFET N-Chan 400V 1.7 Amp
1:¥6.8365
10:¥5.5822
3,000:¥5.5822
参考库存:13883
晶体管
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
1:¥56.7825
10:¥51.0986
50:¥46.5673
100:¥42.036
250:¥38.5782
参考库存:1510
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥8.7575
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
1,000:¥4.0341
2,500:¥4.0341
参考库存:13887
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,397.9456
5:¥1,364.2942
10:¥1,330.4055
25:¥1,311.817
参考库存:1439
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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