您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

晶体管

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

BSM50GX120DN2

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:35,102(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥960.274
960.274
5
¥941.4482
4707.241
10
¥897.4912
8974.912
25
¥878.6654
21966.635
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
78 A
栅极—射极漏泄电流
200 nA
Pd-功率耗散
400 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM50GX120DN2BOSA1 SP000100372
商品其它信息
优势价格,BSM50GX120DN2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 100A TO220-3 OptiMOS-T
1:¥18.4416
10:¥15.6731
100:¥12.5204
500:¥10.9836
参考库存:3280
晶体管
MOSFET DIOFET MOSFETN-CHAN ENH MDE SCHOT DIODE
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
2,500:¥1.11418
参考库存:46970
晶体管
MOSFET Pwr MOSFET 40V 44A 6.9mOhm Dual N-CH
1:¥14.9838
10:¥12.7577
100:¥10.1474
500:¥8.9157
1,500:¥6.893
4,500:查看
参考库存:6677
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS7
1:¥239.5148
5:¥230.1358
10:¥221.4574
25:¥203.5469
参考库存:1444
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
1:¥3.3787
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:165541
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email: 1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号

24小时在线客服
热线电话
微信联系我们 微信扫码联系我们