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晶体管
BC856AW-G参考图片

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BC856AW-G

  • Comchip Technology
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -80V, -.1A
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数量单价合计
1
¥2.147
2.147
10
¥1.4012
14.012
100
¥0.63054
63.054
1,000
¥0.40002
400.02
3,000
¥0.30736
922.08
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Comchip Technology
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 65 V
集电极—基极电压 VCBO
- 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.65 V
最大直流电集电极电流
- 0.1 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BC856
直流电流增益 hFE 最大值
800
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Comchip Technology
直流集电极/Base Gain hfe Min
125
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格,BC856AW-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL 60V 1A LOWVCESA
1:¥4.5313
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
3,000:¥1.5029
参考库存:12805
CEL
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
1:¥8.8366
10:¥6.7574
100:¥4.9155
500:¥4.181
10,000:¥3.0736
20,000:查看
参考库存:119262
晶体管
MOSFET 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
1:¥22.6678
10:¥18.8258
100:¥14.5996
500:¥12.7577
3,000:¥12.7577
参考库存:37894
晶体管
MOSFET 20V P-Channel 1.5V Specfied PowerTrench
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥16.5206
250:¥15.6731
5,000:¥10.8367
参考库存:24056
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.8419
参考库存:49063
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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