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晶体管
PD84010-E参考图片

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PD84010-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power tran LdmoST N-chann
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库存:34,300(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥126.6278
126.6278
10
¥116.4917
1164.917
25
¥111.644
2791.1
100
¥98.3552
9835.52
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
8 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
14.3 dB
输出功率
10 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD84010-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
95 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD84010-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥5.6048
10:¥4.7121
100:¥3.0397
1,000:¥2.4295
5,000:¥2.0566
参考库存:24830
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.2317
10:¥1.06785
100:¥0.37629
1,000:¥0.25312
3,000:¥0.1921
参考库存:60697
晶体管
MOSFET 70V P-Ch Enh FET 160Vgs 10V 250mOhm
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
参考库存:17879
晶体管
IGBT 晶体管 600V/45A IGBT FS1 TO-247
1:¥38.646
10:¥32.883
100:¥28.5099
250:¥27.0522
参考库存:3381
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BRT COMPLEMENTARY
1:¥2.7685
10:¥1.7515
100:¥0.75258
1,000:¥0.5763
8,000:¥0.39211
24,000:查看
参考库存:58713
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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