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晶体管
NVMFS5C430NWFAFT1G参考图片

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NVMFS5C430NWFAFT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
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库存:28,307(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.5204
12.5204
10
¥10.6785
106.785
100
¥8.5315
853.15
500
¥7.4919
3745.95
1,500
¥5.7743
8661.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-FL-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
185 A
Rds On-漏源导通电阻
1.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
47 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
106 W, 3.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
130 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
48 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
13 ns
商品其它信息
优势价格,NVMFS5C430NWFAFT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 225A
1:¥748.1165
5:¥734.3644
10:¥701.3232
25:¥677.9548
参考库存:3579
晶体管
MOSFET TRENCH 8 80V NFET
1:¥13.1419
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.8422
1,500:¥6.0003
4,500:查看
参考库存:17756
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 6-Pin
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:120483
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW VOLTAGE FAST SWITCHING PNP POWER
1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:65350
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
1:¥31.1993
10:¥26.5098
100:¥22.9729
250:¥21.8203
参考库存:9537
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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